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小信號開關(guān)二極管
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IGBT汽車電子

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快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
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整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護器
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汽車電子保護器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
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汽車電子小信號
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MOSFET

ALL MOSFET
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高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planar MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
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SiC

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IGBT模塊
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快恢復(fù)模塊
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壓接整流模塊
壓接晶閘管模塊
壓接晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
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LBD芯片
PMBD芯片
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集成電路

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線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

100V TOLL Package MOSFET

100V TOLL Package MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 MOSFET應(yīng)用的功率越來越大，降低MOSFET的導(dǎo)通內(nèi)阻，提高MOSFET的散熱性能，減小體積，提升MOSFET的功率密度，是MOSFET從業(yè)者孜孜不倦的追求。揚杰科技 TO-Leadless（TOLL)MOSFET封裝經(jīng)過優(yōu)化，可處理高達 280A的電流，在大幅減少占用空間的同時提高功率密度。與 D2PAK相比，占用空間減少 30%，高度減少 50%，從而總空間節(jié)省近60% ，使電路板設(shè)計更加緊湊。

產(chǎn)品特點 1.最高電流能力達 280A，所需并聯(lián)和散熱部件少；
2.焊接面積經(jīng)改善，顯著減少電遷移現(xiàn)象，高系統(tǒng)可靠性；
3.極低的封裝寄生效應(yīng)，低EMI；
4.無引腳封裝，支持極為緊湊的設(shè)計；
5.采用TOLL封裝，更好的熱值特性。

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