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小信號(hào)

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汽車電子小信號(hào)
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SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

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NP MOSFET(12V-300V)
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SiC

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汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
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晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
壓接整流模塊
壓接晶閘管模塊
壓接晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

聚焦！SGT工藝N60V MOSFET新品，點(diǎn)亮清潔能源新效能

聚焦！SGT工藝N60V MOSFET新品，點(diǎn)亮清潔能源新效能 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.產(chǎn)品采用優(yōu)化的SGT工藝, 產(chǎn)品內(nèi)阻低，開關(guān)特性優(yōu)；
2.產(chǎn)品采用TOLL、TO-263、TO-220等封裝，適用于BMS等大功率應(yīng)用；
3.針對工控應(yīng)用的各種工作狀態(tài), 優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力，提高產(chǎn)品的可靠性。

規(guī)格書

YJB2D3G06H YJT2D0G06H

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