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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

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小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
整流二極管
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MOSFET
功率三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
汽車SiC肖特基二極管
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整流器件

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普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
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汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號(hào)
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MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planar MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
汽車SiC肖特基二極管
汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
壓接整流模塊
壓接晶閘管模塊
壓接晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

用于光伏微逆變、工業(yè)電源、服務(wù)器電源的SJ MOSFET

用于光伏微逆變、工業(yè)電源、服務(wù)器電源的SJ MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技近日推出了一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，產(chǎn)品采用深溝槽技術(shù)與多層外延技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻Rds和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng),非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.采用深溝槽與多層外延技術(shù), 產(chǎn)品內(nèi)阻低，開關(guān)特性優(yōu)；
2.采用TOLL、TO-247封裝，適用于大功率應(yīng)用；
3.UIS能力強(qiáng), Qg與Rds參數(shù)更優(yōu)，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應(yīng)

規(guī)格書

YJN48C60HJ YJT33C60HJ

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